TSM680P06CZ C0G
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TSM680P06CZ C0G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Taiwan Semiconductor Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TSM680P06CZ C0G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 60V 18A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220

ສິນຄ້າ:

12892721
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

TSM680P06CZ C0G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
TSM680P06CZC0G

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF9Z34PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1262
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF9Z34PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.69
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
taiwan-semiconductor

TSM300NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN

vishay-siliconix

IRF710S

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

taiwan-semiconductor

TSM80N950CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1N45CT A3G

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92